高功函数MoO₃材料在非对称硅基太阳能电池中具有非常重要的作用。我们采用真空蒸发在n-Si衬底沉积MoO_x薄膜时,MoO_x/n-Si界面会自然氧化生成3.5～4.0nm的钼掺杂非晶氧化硅层（a-SiO_x（Mo））。利用第一性原理,通过对吸附能的计算,发现MoOx沉积时,MoO₃中的两个O原子优先和Si表面原子成键,钝化了Si表面,吸附能为-5.36eV。通过计算α-MoO₃和α-SiO₂中氧空位、Si/Mo替位等缺陷形成能可知,相比于SiO₂中氧空位的形成能（5.11 eV）,MoO₃中氧空位形成能较低（0.96 eV、1.96eV、3.19eV）,促使O原子向Si一侧移动,形成非晶氧化硅层;而Mo原子替位SiO₂中Si原子的形成能低于Si原子替位MoO₃中Mo原子的形成能,使得Mo原子容易掺杂进入非晶氧化硅中,形成钼掺杂的非晶氧化硅层。通过构造钼掺杂非晶二氧化硅模型（a-SiO₂（Mo））,计算了其相应的电子结构,结果发现,由于Mo的d轨道和O的p轨道杂化,使得Mo的掺杂在非晶二氧化硅中引入了新的杂质能级,降低了非晶二氧化硅的禁带宽度,有利于器件载流子的输运。通过对a-SiO₂（Mo）相关电荷转变能级的计算发现,电荷转变能级ε（+2/0）、ε（+1/0）分别位于非晶二氧化硅价带顶的2.54 eV、3.59 eV处,有效减小了a-SiO_x（Mo）/Si界面上的能带差值,这些能级对载流子的输运可以起到辅助隧穿的作用。综上,钼掺杂非晶氧化硅层对光伏器件具有钝化接触、载流子辅助隧穿的作用。