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ZnO材料具有价格低廉、生物兼容好、发光效率高等优点，因此其电学性质和光学性质的研究受到广泛关注[1]。其中原子层沉积(ALD)方法制备的ZnO薄膜具有生长温度低，大面积厚度均匀，优异的台阶和深孔覆盖性等优点，可广泛用于表面具有深孔道和陡峭台阶的光电子器件透明电极的制备。
原子层沉积ZnO:Al透明导电薄膜的光电性质研究
【摘 要】
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ZnO材料具有价格低廉、生物兼容好、发光效率高等优点，因此其电学性质和光学性质的研究受到广泛关注[1]。其中原子层沉积(ALD)方法制备的ZnO薄膜具有生长温度低，大面积厚度
【机 构】
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南开大学物理科学学院,天津市南开区卫津路94号,天津300071
【出 处】
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第五届届全国氧化锌学术会议
【发表日期】
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2011年期
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