本论文采用固相反应法制备LCMO及LCMO-Ag靶材，并用射频磁控溅射工艺在Si（100）基片上制备LCMO-Ag薄膜，研究制备工艺参数对LCMO-Ag薄膜电阻率-温度特性的影响及银掺杂对LCMO材料结构及电性能的影响。研究固相反应法制备LCMO靶材最佳制备工艺及银掺杂对LCMO靶材形貌的影响。研究发现银掺杂导致LCMO靶材晶粒直径减小及致密度的提高；而高的烧结温度和较长的烧结时间使靶材晶粒直径增加，致密度降低。经过优化得到的LCMO-Ag靶材制备优化工艺参数为：煅烧温度为900℃，煅烧时间为5小时，烧结温度为1300℃、保温10小时。研究银掺杂对LCMO薄膜电性能的影响。银掺杂可显著降低LCMO薄膜的电阻率，提高薄膜金属-绝缘相变温度，并使LCMO薄膜在233K～300K之间发生两次金属-绝缘相变(T_MI与T’_MI)。出现这一现象是由于银掺杂造成的薄膜的不均匀性，在晶粒内部和晶界处出现了富银相。研究制备工艺参数对薄膜电阻率-温度曲线的影响。随沉积温度的升高，T_MI与T’_MI先升高后降低，在沉积温度为500℃时T_MI与T’_MI均达到最高值，分别为241K和266.3K。能谱（EDS）表明随工作气体中氧分压的增加，薄膜内氧含量升高，Mn⁴⁺含量也随之升高，双交换作用增强，T_MI与T’_MI增大。在氧氩比为1∶2，薄膜中氧含量达到63.71at％，此时T_MI与T’_MI分别为240.6K与273K。高的工作气压可以使溅射粒子在薄膜表面均匀分布，但气压过高会使薄膜成分发生偏析，造成薄膜结构和成分均匀性下降。随气压的升高，LCMO-Ag薄膜T_MI与T’_MI先升高后下降，气压为7Pa时达到最高值，分别为240.6K与273K。随溅射功率的提高，薄膜致密度增加，内部应力减小。但当溅射功率过高时，靶材粒子容易以团簇的形式被剥离，造成薄膜不均匀。随溅射功率的不断升高，LCMO-Ag薄膜T_MI与T’_MI先升高后降低，在溅射功率为100W时T_MI与T’_MI达到最高值，分别为260.4K与274K。