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本文介绍了亚微米电路抗静电的主要机理及其解决办法,并提出一套行之有效的实现措施,同时也给出了其实验结果.
亚微米ASIC电路抗ESD设计技术
【摘 要】
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本文介绍了亚微米电路抗静电的主要机理及其解决办法,并提出一套行之有效的实现措施,同时也给出了其实验结果.
【机 构】
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北京微电子技术研究所(北京)
【出 处】
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第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议
【发表日期】
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2001年期
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