【摘 要】
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我们利用STM,研究了多种金属多晶基底(Cu,Pt,Rh,Pd等)上石墨烯的控制生长和微观结构。[1-3]原位STM/STS研究发现,Rh上偏析生长获得的非AB堆垛双层石墨烯随层间扭转角度的
【机 构】
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北京大学工学院材料科学与工程系,北京大学纳米化学研究中心,北京 100871,中国
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我们利用STM,研究了多种金属多晶基底(Cu,Pt,Rh,Pd等)上石墨烯的控制生长和微观结构。[1-3]原位STM/STS研究发现,Rh上偏析生长获得的非AB堆垛双层石墨烯随层间扭转角度的不同,呈现出不同周期的摩尔条纹和不同的范霍夫奇点(VHSs)的位置。[4]最近的研究发现,在铜箔表面,六方氮化硼(石墨烯的结构类似物)可以与石墨烯形成单原子层的面内杂化结构,进而有可能给石墨烯带来一个小的带隙(18meV)。 然而,由于多晶基底的高低起伏不平,人们很难在未经转移的情况下获得这种杂化材料的一些本征特性。我们在单晶Rh(111)和Ir(111)基底上分别制备出了这种单原子层的杂化材料,并利用STM首次观察到石墨烯和氮化硼可以形成以zigzag边缘为主的完美拼接,并且发现氮化硼和金属基底对于拼接边缘石墨烯的局域电子结构有很明显的调制作用。
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