【摘 要】
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我们用提拉法生长了一系列GdxY1-xCOB混晶（x=0.186,0.156,0.132,0.127）,并系统研究了它们的非临界相位匹配三倍频性能。室温下用OPO作为光源,测量了它们的非临界相位匹配三倍频
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室; 山东大学功能晶体材料与器件教育部重点实验室;
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我们用提拉法生长了一系列GdxY1-xCOB混晶（x=0.186,0.156,0.132,0.127）,并系统研究了它们的非临界相位匹配三倍频性能。室温下用OPO作为光源,测量了它们的非临界相位匹配三倍频波长,大约分别为1062nm,1058nm,1053nm和1052nm。对于Gd0.132Y0.868晶体,通过控制温度,在10-70℃C范围内,随着温度升高,三倍频输出波长从350.88nm变为351.67nm。用1053nm Nd:YLF纳秒固体激光器作为光源,KTP作为倍频晶体,晶体温度控制为55℃,三倍频输出能量为1.6mJ。首次用GdxY1-xCOB晶体实现了1053nm波长的三倍频输出。
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