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晶体硅异质结-背接触电池(HJ-IBC)的前表面结构对其性能影响研究

来源 :第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hzz118

【作 者】

：

贾锐 陶科 李强 戴小宛 姜帅 孙昀 

【机 构】

：

中国科学院微电子研究所

【出 处】

：

第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

【发表日期】

：

2016年期

【关键词】

：

晶体 硅异质结 背接触 电池 表面结构 性能 

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