【摘 要】
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Group-(III) nitride semiconductors have attracted much attention in ultraviolet (UV) photodetector applications due to their large direct-bandgap energy,hig
【机 构】
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School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093,China
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Group-(III) nitride semiconductors have attracted much attention in ultraviolet (UV) photodetector applications due to their large direct-bandgap energy,high electron saturation velocity,superior radiation hardness,and high-temperature resistance.In this talk,I will review our recent study on material growth and photodetector fabrication,including GaN avalanche photodiodes fabricated on low-dislocation-density homoepitaxial GaN,AlGaN-based MSM solar-blind photodetectors with ultra-low dark current,and AlGaN-based p-i-n solar-blind photodetectors with high quantum efficiency.
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