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有机-无机杂化钙钛矿材料由于在器件制备过程中不可避免会产生大量的晶界,从而导致缺陷态的形成,进而大大增加载流子的复合几率,并最终制约电池效率的进一步提高。因此,对钙钛矿材料缺陷态的钝化研究具有非常重要的意义。在前期的初步研究中[1],我们首次证明了混杂于钙钛矿层内的p-型半导体CuSCN可以有效地钝化钙钛矿薄膜的缺陷态,从而提高钙钛矿薄膜的空穴迁移率,并最终获得了高达18.1%的能量转换效率。为了进一步提升缺陷态钝化效果以获得更高的电池效率,最近,我们[2]首次发现新型的p-型半导体材料碘化亚铜-硫脲络合物（Cu（Tu）I）具有更高效的缺陷态钝化能力,并提出了可能的缺陷态钝化机理（图1）。我们发现,Cu（Tu）I中的Cu和I可以分别与钙钛矿晶界中配位不饱和的卤原子和铅原子相互作用,从而可以将钙钛矿的缺陷态能级从最初的0.35-0.45 eV降低到0.25-0.35 eV.此外,Cu（Tu）I的引入还能与钙钛矿形成体相异质结,从而可以将耗尽区的宽度从原来的126 nm提高到265 nm.因此,具有协同效果的Cu（Tu）I最终可以将电池的效率提高到19.9%。另外,我们还发现,Cu（Tu）I相比CuI具有更好的效果,而这很可能归因于Cu（Tu）I具有更深的且和钙钛矿一致的价带能级,从而能更大程度地降低钙钛矿的缺陷态能级并消除由p-型半导体和钙钛矿价带能级差异所产生的势阱。