Sn基钎料是电子封装中常用的互连材料,Sn-3.5Ag钎料因具备较好的力学性能和润湿性能而在球栅阵列（Ball Grid Array,BGA）、芯片尺寸封装（Chip Scale Packaging,CSP）等封装结构中有着较广泛的应用。在Cu/Sn-3.5Ag/Cu焊点结构中,Sn晶粒数量是有限的,有时甚至仅含有一个Sn晶粒。Sn为体心四方结构,其物理和力学性能沿不同晶向存在较大差异,这会造成封装焊点服役性能的各向异性,严重影响器件的可靠性。然而,封装结构的使用寿命往往是由性能最薄弱的焊点决定的。本文研究了不同间距（300、100、50μm）Cu/Sn-3.5Ag/Cu焊点在不同冷却速率（1.5、0.5、0.1 ℃/s）下的凝固组织,分析了钎料中Sn晶粒数量与取向及金属间化合物（Intermetallic Compound,IMC）的特征。研究表明:1.焊点间距和冷却速率均会影响焊点的Sn晶粒数量。总体上,Sn晶粒数量随焊点间距减小而减少。当焊点间距为300μm和100μm时,在0.5 ℃/s的冷却速率下,Sn晶粒数量出现了最小值;而当焊点间距为50μm时,Sn晶粒数量受冷却速率影响较小,且焊点中倾向于形成单个Sn晶粒。2.不同间距的焊点在不同冷却速率下凝固的组织中,Sn晶粒θ角度值（Sn晶粒c轴与焊点长度方向的夹角）分布情况不同。在300μm间距的焊点中,不同冷却速率下的θ角度值多分布在50°～90°区间。在100μm间距的焊点中,不同冷却速率下凝固的焊点θ角度值多分布在40°⁹0°区间。在50μm间距的焊点中,不同冷却速率下的θ角度值分布相对随机,其中,0.1 ℃/s冷却速率下的θ角度值多分布在40°以上,而另外两种冷速下的θ角度值在大小角均有分布。3.焊点间距、冷却速率均会影响IMC相的生长特征。300、100、50μm三种间距的焊点在0.1 ℃/s冷却速率下凝固的微结构中,都可能会出现过度生长的片状Ag₃Sn IMC相。尤其是在50μm间距的小间距焊点中,沿焊点长度方向,片状Ag₃Sn IMC相甚至能够贯穿整个焊点上下界面。轧向贯穿晶界和粗大的IMC相会对焊点的服役可靠性产生重要影响。