量子点作为一种新型的半导体纳米材料,具有发光颜色可调、色纯度高、稳定性好、量子产率高、可溶液加工等优点,已经被普遍应用到太阳能电池、光电探测器、发光二极管、平板显示、固态照明和生物标记等领域。量子点发光二极管具有可自发光、器件效率高、可全溶液制备等特性,在新一代低成本、低功耗、大面积、超薄以及柔性显示领域具有广阔的应用前景。经过近几年的研究与发展,单色量子点发光二极管和白光量子点发光二极管器件的外量子效率都已经突破了20%。但是,目前大部分工作集中在底发射结构器件的研究。相比底发射器件,顶发射的器件结构,可以显著的提高显示屏的开口率;另外,采用白光器件结合彩色滤光片的方法,可以实现高分辨率的全彩显示。因此顶发射白光量子点发光二极管更适合应用于高开口率、高分辨率的有源矩阵全彩显示。然而,目前对于顶发射白光量子点发光二极管的研究却几乎没有进展。本文以顶发射白光量子点发光二极管为研究目标,通过采用具有高反射率的铝和具有高透过率的氧化铟锡分别作为器件的底部和顶部电极,抑制了光学微腔带来的干涉效应,从而有利于得到具有宽带光谱的白光发射。通过对实验材料进行选择以及对制备工艺进行优化,成功制备了顶发射白光量子点发光二极管,初步完成了本课题的研究目标。在对底部电极的优化过程中,我们发现铝电极很容易被空气中的氧气氧化,形成氧化物阻挡空穴的注入。为解决这个问题,分别在铝电极上覆盖了一层很薄的三氧化钼和氧化铟锡作为界面修饰层,通过优化修饰层的厚度及制备工艺,有效的提高了空穴的注入,成功的将启亮电压从12 V降到了2 V。在对顶部电极的优化过程中,首先尝试了常用的银电极结构,并在银电极的表面制备一层光学耦合层以增强其透过率,但是由于器件仍存在较强的微腔干涉效应,使得器件不能发射宽带的白光光谱。为解决这个问题,我们选择具有高透过率的氧化铟锡作为顶部电极,使用50 W的低功率溅射氧化铟锡,并在电子传输层中掺入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)提高其致密性,避免溅射过程中离子轰击带来的破坏。最终成功制备了亮度为18270 cd/m~2、电流效率为7.792cd/A、外量子效率为4.764%以及色坐标为(0.33,0.32)的顶发射白光量子点发光二极管,为今后的顶发射白光的研究提供了基础。