该论文为广东省九五攻关项目的部分研究内容.该论文的工作是采用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺,在晶向为(111)的n/n<+>型硅外延片上制成AI/Ba<,1>-<,x>La<,x>TiO<,3>/SiO<,2>/Si的MIS结构.在室温下测量其电流-相对温度(I-RH)特性、电流-频率(I-F)特性、湿滞特性、电流-响应时间特性和C-V特性等.该文根据测量结果,应用热力学理论对 钛酸镧钡膜中孔的结构、吸附和凝聚进行了广泛的讨论,并采用等效电路的理论模型,分析了温度变化对样品特性参数的影响和不同二氧化硅层厚度对样品感湿灵敏度的影响,计算出钛酸镧钡膜在不同相对湿度下的相对介电常数.总的来说,该文研究的MIS结构具有良好的 感湿灵敏度,可应用的频率范围较宽,并且响应时间较短.同时,由于该研究样品的制备与硅平面工艺兼容,通过增加电路部分和改进工艺条件等,可望开发出性能优异的集成敏感元件.