锗材料的电子迁移率与空穴迁移率都比硅材料的高，而且锗工艺与标准硅工艺兼容。同时在室温下，锗材料导带底直接带与间接带之间相差136meV。因此不论是在高速集成电路，还是在发光器件中，锗材料的发展都有着举足轻重的地位。近年来，应变锗作为发光器件的增益介质得到了广泛关注，因为在锗材料中引入应变可以降低锗材料导带底直接带与间接带之间的差值。本文将锗材料生长在InxGa1-xAs材料缓冲层上，作为发光二极管的本征层，通过InxGa1-xAs材料与锗材料的晶格失配，在锗材料中引入张应变，来研究Ge/InxGa1-xAs异质结的发光特性。本文所有仿真工作均使用Silvaco公司的Atlas来完成。由于InxGa1-xAs材料中In组分的不同，即x的值不同会造成其不同的晶格常数，引起与锗材料晶格失配程度也不同，从而在锗层中引入不同大小的张应变。首先取InxGa1-xAs材料中x为0.25，对应在Ge材料中引入的应变大小为1.7%左右，得到其一些基本设置、载流子分布、能带与基本发光特性。同时本文通过改变InxGa1-xAs材料中In组分的值来控制在锗材料中引入应变的大小，分别取x为0.15、0.2、0.25、0.3、0.4，并得出其对应的辐射复合率及发光强度与InxGa1-xAs材料中In组分的关系。研究发现，随着InxGa1-xAs材料中In组分的增大，锗材料中的应变也相应增大，器件中载流子的辐射复合率与发光强度均随之增加。仿真也间接证明了张应变导致Ge材料能带结构发生了与理论分析相一致的变化，因此应变Ge材料有应用于发光器件的潜质，文本为进一步研究应变Ge材料在发光器件中的应用奠定了基础。