基于王中林教授于2007和2010年提出压电电子学和压电光电子学两个原创的概念。利用应变引起的界面极化电荷调制界面处能带结构并进而有效地调节和控制界面或结区的载流子输运。运用材料的压电效应调节发光二极管以及量子点发光二极管的发光,是实现压力可视化的一个重要的实现途径。本论文利用Zn O纳米线构筑了Ga N/Zn O异质结发光二极管阵列并激发量子点荧光与阵列量子点发光二极管。利用压电效应调控器件载流子输运,进而研究器件的发光特性及其可视化应力的响应,为日后的实际应用提供实验依据。主要得到了以下结果。1、运用紫外光刻与磁控溅射技术在P-GaN衬底上制备出30μm线宽100μm间距的网格电极用以改善P-Ga N衬底的导电能力;之后再次使用紫外光刻与磁控溅射技术在衬底上制备出3μm孔径6μm孔间距的Si O2掩模阵列,并使用水热法在P-Ga N上外延生长出单根Zn O纳米线阵列;最后使用封装工艺制备出阵列Ga N/ZnO异质结发光二极管,并成功激发出旋涂于器件后表面的量子点的荧光。器件测试结果表明,器件具有典型的PN结I-V特性曲线,开启电压在10V左右;由于水热法制备出的Zn O存在缺陷,因此GaN/ZnO异质结发光中心波长在400nm左右;Ga N/ZnO异质结发光并成功激发出旋涂于器件后表面的Cs Pb Br3、Cd Se/CdS/Zn S、CdSe@ZnS/Zn S量子点荧光。2、利用垂直生长的5μm孔径10μm孔间距的Zn O纳米线阵列,设计并制备出基于Zn O为电子传输层,NPB有机材料为空穴传输层,CdSe/Cd S/ZnS、Cd Se@ZnS/Zn S量子点为发光材料的量子点发光二极管器件。对器件进行通电测试,并对量子点进行电致发光分析。得到分别发出红光630nm与540绿光的量子点发光二极管器件。最后利用Zn O纳米线的压电光电子学效应,器件中像素点的发光强度随着外加压力的增强而增加。