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随着移动通信和卫星通信技术的迅猛发展,对电子器件小型化、高频化、集成化的要求越来越强烈。限制电子器件小型化、高频化的主要因素,使微磁电感等磁性器件尺寸难以缩小。为了满足磁性器件小型化的需要,具有高的饱和磁化强度、低的矫顽力及优良的高频响应特性的软磁薄膜成为磁性材料的研究热点。在饱和磁化强度只能有限提高的前提下,软磁薄膜面内单轴磁各向异性的提高和调控成为提高铁磁共振频率最值得关注的问题。本文从软磁薄膜的制备、性能测试及实验结果分析等一系列工作来寻找满足高频电子元器件需求的软磁材料。主要的研究工作有：(1)采用自行设计的射频磁控倾斜溅射法在室温下制备Co2FeSi半金属Heusler合金薄膜,系统地研究了样品位置、溅射功率等对其微波铁磁性能的影响。研究发现：未经任何退火的薄膜面内单轴磁各向异性场高达330Oe,矫顽力低于28Oe,铁磁共振频率达到4.75GHz。这说明Co2FeSi合金薄膜很有应用前景的高频软磁材料。(2)采用射频磁控倾斜溅射法制备了A1203掺杂的Co2FeSi合金薄膜(Co2FeSi)1-x(Al2O3)x。研究发现：通过控制片状A1203的数量n可以有效地改善(Co2FeSi)1-x(Al2O3)x薄膜的微波铁磁性能,制备态(Co2FeSi)1-x(Al2O3)x薄膜表现出较高的面内单轴磁各向异性场(360Oe),较低的矫顽力(8Oe),其铁磁共振频率高达5.02GHz,这些结果表明A1203掺杂进一步提高了Co2FeSi合金薄膜的微波软磁性能,进一步扩展了其在射频／微波器件应用的可行性。(3)利用射频倾斜溅射法制备Co2FeAl0.3Si0.7、Cr/Co2FeAl0.3Si0.7合金薄膜,并研究了Cr缓冲层对Co2FeAl0.3Si0.7合金薄膜微波软磁性能的影响。实验结果表明：随着Cr沉积时间的增加,难易轴矫顽力渐增,且面内单轴磁各向异性场只是略微的增加,因此在Si基片上增加一层缓冲层Cr并不能达到改善薄膜软磁性能的效果。