随着有机发光二极管（OLED）技术的发展,寻找新型发光材料成为研究人员不断探索的方向。其中三氟化硼修饰化的配合物由于合成简单、结构稳定及光学性能好等优点,而在光色调制及OLED器件、生物标记、传感器等方面均有潜在的应用价值。本论文从合成新型稀土高分子白光材料出发,探究了小分子三氟化硼配合物共价键合于有机大分子而得到高分子杂化薄膜材料,并通过光色调制以实现了光致白光;同时,基于光致红光的Ir（Ⅲ）配合物,通过三氟化硼功能化修饰以改变其光物理性质,并将其作为发光层材料实现了深红光OLED器件的开发。首先,利用4-乙烯基苯胺与水杨醛合成了席夫碱Hass（2-（（4-vinylphenylimino）methyl）phenol）,在此基础上通过与三氟化硼发生配位反应生成了席弗碱硼化物BF₂-ass。通过检测其荧光光谱发现Hass在溶液中的发射光为黄光,BF₂-ass的发射光为青光。同时基于其二原基色,选用PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）作为骨架,[Eu（tta）₃4VPBI]（Htta=2-Thenoyltrifluoroacetone:4VPBI=1-（4-vinylbenzyl）-2-（pyridin-2-yl）-1H-benzo[d]imidazole）作为红光来源,共聚合制备了PMMA为骨架的高分子杂化薄膜材料Poly(MMA-co-Hass-co-BF₂-ass-co-[Eu（tta）₃4VPBI],在基于MMA（甲基丙烯酸甲酯）摩尔比为300:1,（Hass:BF₂-ass:[Eu（tta）₃4VPBI]=1:1:1）的条件下,光致白光色度坐标为:x=0.307,y=0.247:CCT（色温）=8722 K:CRI（显色指数）=54,在该白光材料基础之上,MMA的摩尔比保持不变,通过将单体投料比调节为（Hass:BF₂-ass:[Eu（tta）₃4VPBI]=1:0.5:1）,重新优化了白光材料,优化后的白光色度坐标为x=0.377,y=0.387:CCT=4150 K:CRI=92。同时利用共轭度较高的分子Hiqbt（1-（benzo[b]thiophen-2-yl）isoquinoline）作为第一配体,H₂pa（3-羟基-2-吡啶甲酸）作为辅助配体合成了Ir（Ⅲ）配合物[Ir（iqbt）₂hpa],在其基础之上通过三氟化硼的配位作用得到了[Ir（iqbt）₂BF₂-pa],通过荧光光谱测得两者均为深红光材料。对于[Ir（iqbt）₂hpa],荧光寿命为0.270μs(l_em=690 nm),荧光量子产率为0.022%。对于[Ir（iqbt）₂BF₂-pa],荧光寿命为0.294μs(l_em=680 nm),荧光量子产率为0.021%。最后在前文基础之上将[Ir（iqbt）₂hpa]和[Ir（iqbt）₂BF₂-pa]制作成了OLED器件ITO/PEDOT:PSS/PVK（65%）:OXD-7（30%）:sample 1/Li F/Al和ITO/PEDOT:PSS/PVK（65%）:OXD-7（30%）:sample 2（5%）/LiF/Al两个器件。其中sample 1:[Ir（iqbt）₂hpa]和sample 2:[Ir（iqbt）₂BF₂-pa]。基于sample 1的器件外量子效率最高达到了0.35%（电流密度7 mA/cm²）,亮度最高达到了1.19 cd/m²（驱动电压15 V）。基于sample 2的器件外量子效率最高达到了0.08%（电流密度39 mA/cm²）,亮度最高达到了1.6 cd/m²（驱动电压21 V）。在此基础之上通过添加TmPyPB（1,3,5-tri[（3-pyridyl）-phen-3-yl]benzene）作为电子传输层对双层结构器件进行了优化,制备了三层结构器件ITO/PEDOT:PSS/PVK（65%）:OXD-7（30%）:sample 1（5%）/TmPyPB/Li F/Al和ITO/PEDOT:PSS/PVK（65%）:OXD-7（30%）:sample 2（5%）/TmPyPB/Li F/Al。基于sample 1的器件在优化后外量子效率最高达到了0.80%（电流密度25 mA/cm²）,亮度最高达到了80 cd/m²（驱动电压20 V）。基于sample 2的器件在优化后外量子效率最高达到了0.25%（电流密度25 mA/cm²）,亮度最高达到了3.5 cd/m²（驱动电压21 V）。