高临界电流密度的MgB<,2>块材掺杂研究

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【摘要】

：

由于较高的超导转变温度(T_c),原材料廉价和无弱连接效应,MgB_2超导材料被认为有可能取代传统的Nb基超导材料,在制冷机工作温区(20 K～30 K)有可能成为工业化应用的超导材料,特别是在核磁共振成像(MRI)。缺乏合适的钉扎中心和较低的上临界场(H_(c2))阻碍MgB_2在20 K温区大规模工业应用。引入纳米级缺陷、细化MgB_2晶粒和改善晶粒间的连接性是提高MgB_2临界电流特性的有效

【作者】

：

周杰俤

【机构】

：

西南交通大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

MgB2 化学掺杂超导电性临界电流密度

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