磷掺杂ZnO纳米结构及同质结LED的制备和性能研究

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【摘要】

：

ZnO是一种典型的II VI族宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV，远大于室温下26meV的热离化能，因此是制作短波长光电器件和制备室温紫外激光器件的良好材料；而ZnO又具有丰富的特性，所以ZnO材料在催化、传感以及生化等不同领域也有广阔的应用前景。为了实现ZnO基纳米光电器件的应用，高质量的p型ZnO纳米材料是需要的，而如何获取高质量的p型ZnO纳米材料成为国

【作者】

：

许瑞卓

【机构】

：

辽宁师范大学

【发表日期】

：

2013年04期

【关键词】

：

磷掺杂化学气相沉积 ZnO纳米结构 ZnO纳米线同质LED

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