量子点接触中电子自旋输运性质的研究

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介观系统就其尺度而言几乎是宏观的,而其表现又具有明显的量子特征,由于其具有丰富的物理特性而成为人们的研究热点。对介观体系的理论研究和实验研究主要集中在系统的输运性质上,表现为量子弹道输运和量子相干输运,常用的实验模型有量子点接触(quantum point contact,简写为QPC)、量子线(quantum wire,简写为QW)、量子点(quantum dot,简写为QD)等。介观系统中的电子在输运中保持“相位记忆”,因此导致了不寻常的量子干涉现象以及介观尺度范围内的量子化现象,其中最显著的量子现象是电导量子化效应,而0.7结构是介观物理中电导量子化效应的奇异现象。为了探求这些新奇现象的起因需要对介观器件内部结构以及其中电流、电荷分布进行深入的研究,实验中经常利用扫描探针显微镜(Scanning Probe Microscope,简称SPM)探测被测系统内部的电荷分布、电流等物理量,来研究介观物理系统的内部结构与特性。由于在实验中需引入SPM等外界的探测仪器,使这些仪器与被探测物理系统构成一个新的系统,从而导致探测结果与物理系统单独存在时的情况有所不同,我们采用了QPC模型,利用递归格林函数方法计算了Rashba自旋轨道耦合、磁场以及SPM的探针对QPC中电导的影响。计算结果表明:(1)将QPC分成M×N个格点,每一个格点位置分别以(m,n )来表示,无论SPM探针位置随电子输运方向(即n的取值)的变化还是随垂直于电子输运的方向( m的取值)的变化,QPC的电导都有明显变化。m的取值决定了对第几个电导台阶的影响, n的取值决定了对电导台阶影响的程度。当探针位于同一m值位置上时,沿着电子输运方向越靠近QPC中心对每一个电导台阶的影响都增大,而探针在垂直于电子输运方向上运动时对不同的电导量子化台阶产生影响。这些结果与Topinka等人的实验相吻合。(2)当存在较弱垂直磁场(垂直于量子点接触所处的二维电子气平面)时,随着磁场的增加QPC电导增幅随门电压的变化呈周期性增加并且遂穿通道传输模式增加。磁场越大同一门电压下电导增加的振幅越大,自旋轨道耦合引起的震荡变的越强,并使探针对电导的影响减小。随磁场的增加电导周期性增加,并且增幅随磁场的增加而变大,这与Shubnikov-de Haas效应是一致的。理论研究结果使磁场、SPM的探针对材料内部电荷分布及电子输运的影响更加清晰,为半导体材料器件的开发及新一代微电子器件的研制提供理论依据。
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