随着航天器空间飞行任务需求的不断提高,航天器能耗也不断增加,所以空间太阳电池需要具有更高的光电转换效率和更长的寿命。目前,广泛使用的空间太阳电池为晶格匹配的三结GaAs太阳电池,但是目前其光电转换效率已无法进一步提高,所以需要通过更多结数的电池来吸收更宽的光谱,从而得到更高的光电转换效率。GaInP/GaAs//InGaAsP/InGaAs四结键合太阳电池具有较高的转换效率,有望取代现有三结电池成为空间动力的主要来源。当太阳电池在复杂的空间环境中工作时,高能带电粒子与电池材料相互作用,减小载流子寿命,从而降低电池的光电转换效率,导致航天器在轨工作时间缩短。并且抗辐射加固的前提是充分了解器件的辐射效应和损伤机理,空间用太阳电池辐射效应研究对提高飞行器寿命、延长使用年限有着至关重要的意义。但是目前对于四结太阳电池尤其是四结键合太阳电池的辐射效应研究还处于起步阶段。因此,四结键合太阳电池辐射效应研究具有重要意义。由于四结键合太阳能电池是由不同组分的多元化合物叠堆而成,所以其辐照损伤效应和机理研究十分复杂,因此需要将四结键合太阳能电池辐射效应的问题分解研究。本文研究了组成四结键合电池的GaInP/GaAs双结太阳能电池及其子电池的辐射效应,为四结键合太阳电池等效方法的建立提供基础研究依据。本文通过地面等效模拟试验,研究了GaInP/GaAs双结太阳电池及其子电池的辐射效应以及损伤机理。主要进行了以下工作:1)对不同生长工艺和不同结构参数的GaInP/GaAs双结太阳电池及其子电池进行1MeV电子辐照试验;2)对GaInP/GaAs双结太阳能电池及其子电池进行100keV和150keV低能质子辐照试验;3)进行1MeV电子辐照后GaInP/GaAs双结太阳电池和GaAs单结电池的退火试验。研究结果表明,1MeV电子辐照条件下,GaInP/GaAs双结电池性能的退化主要是由GaAs子电池基区产生的位移损伤造成的,减薄GaAs子电池基区厚度,可有效的提高GaInP/GaAs双结电池的抗辐射能力;不同能量质子辐照条件下,GaInP/GaAs双结太阳电池及其子电池性能的退化,与电池发射区、结区和基区的损伤程度关系密切,其中电池基区对电池辐射效应影响比较大;GaAs子电池在220摄氏度时退火最明显,随着退火时间的延长太阳电池的各电学参数都有一定程度的恢复,其中最大输出功率的恢复最明显;GaAs子电池的热退火恢复较快,主要是因为GaAs子电池的辐射热退火激活能比较低。综上,本文基于四结键合电池的子电池,分析不同粒子辐照下电池的退化规律以及损伤机理,期望对四结键合电池的辐射效应研究提供基础研究依据。