发光材料是LED半导体照明以及QLED量子点显示应用过程中把高能光子转化为低能光子以及把电能直接转化为光能的关键原材料,直接影响LEDs和QLEDs品质性能。针对LED照明荧光粉的优化以及QLED量子点显示材料的开发,论文开展了三方面研究:绿色荧光粉SrSi2O2N2:Eu2+控制合成、物相结构及发光性能的,红色荧光粉CaAlSiN3:Eu2+宏观均匀结构、局域结构、电子结构与发光热猝灭机理,g-C3N4量子点发光调控及其在QLED显示器件中的应用。论文的内容及成果如下:（1）针对LED绿色荧光粉SrSi2O2N2:Eu2+的控制合成与物相结构转化,研究结果表明,采用Sr O、Sr CO3和Sr（NO3）2不同锶源,会改变SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉的颗粒形貌、结晶形态以及N/O比,最终影响荧光粉的吸收、散射及发光性能;采用Si3N4与Si O2原料组合配料比为1:1时,SrSi2O2N2:Eu2+在升温过程中首先出现亚稳相,随着Si3N4含量增加,进而获得正交稳定相,减少原料中Si O2占比、提高Si3N4含量有助于合成高品质SrSi2O2N2:Eu2+荧光粉。（2）针对半导体照明高显色氮化物红粉CaAlSiN3:Eu2+的宏观均匀结构、局域晶体结构、电子结构和与热猝灭机理研究表明,CaAlSiN3具有ASi2N3晶体结构,Ca与Al取代Si形成固溶体,当Ca含量保持不变,按照化学式CaAlxSi1-xN3:Eu2+调控荧光粉组分,在Al/Si比为0.8-1.0范围内获得了纯相,电子在Eu2+5d轨道的分布随Al/Si比升高逐渐从高能级5d5、5d4、5d3向低能级5d2和5d1移动,抑制了电子从5d5向导带的热电离,由此导致荧光粉在LED蓝光波长激发下的发光效率提高、波长红移,但是当随Al/Si含量大于1.0时荧光粉中出现了Al N杂相,发光性能变差;为保持电荷平衡,按照化学式(Ca0.996Eu0.004)0.5+0.5yAlySi2-yN3:Eu2+通过Ca与Al/Si协同变化调控荧光粉组分,研究发现Ca与Al/Si的同步增加不利于改善荧光粉综合性能。（3）采用多种价态金属离子进行掺杂以及高气压反应方式合成了g-C3N4粉体,利用超声剥离制备g-C3N4量子点,并将其用于制备QLED显示器件。采用XPS和FTIR手段证实,掺杂金属离子进入g-C3N4三嗪环空穴中,与周围N原子桥连,金属离子掺杂时光谱红移,但是会导致g-C3N4粉体出现不同程度的荧光猝灭;,g-C3N4粉体的发光强度随着合成压强的增加而增加,同时发射峰蓝移,这可以归因于高压合成影响g-C3N4中C、N原子的sp~3杂化从而起到调控发光性能的作用。利用两种改性方式超声剥离获得的量子点制备了QLED器件,K+和Zn2+掺杂的g-C3N4量子点电致发光中绿光发射峰比例随着掺杂浓度增加而上升,Li+引入了缺陷,使绿光与红光发射增强,利用单一量子点制备出白光QLEDs器件,金属离子掺杂虽然使光致发光出现不同程度的猝灭,但是引入了新的缺陷能级,使g-C3N4量子点的电致发光呈现了多种颜色发射。量子点电致发光的发射峰随着压强上升从蓝紫光区域红移至蓝光区域。