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本论文采用化学反应辅助气相沉积的方法,合成高度取向的ZnO纳米线阵列体系样品。并在前期工作基础上合成磁性元素掺杂的样品。对所制备样品的形貌和结构用SEM和TEM进行观察和表征,用XRD以及选区电子衍射(SAED)等手段来表征样品的晶体结构,且发现样品均为单晶结构。同时对制得样品的室温光致发光谱(RTPL)和拉曼谱等进行分析和讨论,获得以下实验结果:一、采用物理气相沉积的方法,在较低的温度下(约500?C)制备出高产率的高度有序的单晶氧化锌(ZnO)纳米线阵列。对所制得的氧化锌纳米线阵列进行表征发现其在[001]取向优先生长。室温光致发光谱测试发现,样品在紫外光激发下有很强的绿光发射(峰值波长约500 nm)和稍弱的紫外光发射(峰值波长约380 nm)。基于其优异的发光性能,初步探讨了其发光机理,并对其生长机制进行了简单的讨论。二、通过简单的热蒸发Zn-Fe-C-O混合物前躯体的方法,合成出单晶结构的Fe掺杂氧化锌(ZnO)纳米悬臂阵列体系,并对样品的形貌、化学成分和微观结构进行了表征。发现所得样品的形貌为梳状,纳米线阵列规则地分布在主干一侧,间距为几十纳米。XPS和Raman光谱证明, Fe离子替代式掺入ZnO晶格(即小部分Zn被Fe取代)。室温光致发光测试发现,随着Fe离子的引入,绿光激发峰有明显的红移现象,并且发射强度急剧减弱。三、通过简单的化学气相沉积方法(CVD),在较低温度下合成Ni掺杂ZnO梳状纳米结构,对得到的纳米梳状阵列体系结构表征发现阵列的纳米线大小且沿单侧生长,呈阵列结构。选取电子衍射证明为单晶结构,XRD和Raman谱图证明Ni掺进ZnO晶格。荧光谱图发现随着Ni离子的引入,紫外激发增强,激发峰出现蓝移现象。这种简单的合成技术为制备其他的形貌可控的半导体纳米阵列体系提供参考。