【摘 要】
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意义文利用钛酸铅镧陶瓷靶:采用射频磁控溅射技术,在硅基片上制备出了PLT铁电薄膜以及PLT/Pt/Ti/Si铁电多层异质结构,利用Sol-Gel技术在硅基片上制备了PT铁电薄膜;采用XRD、X
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意义文利用钛酸铅镧陶瓷靶:采用射频磁控溅射技术,在硅基片上制备出了PLT铁电薄膜以及PLT/Pt/Ti/Si铁电多层异质结构,利用Sol-Gel技术在硅基片上制备了PT铁电薄膜;采用XRD、XPS、EDAX、AES、SEM、AFM等现代分析技术,对薄膜的晶体结构、表面形貌、化学组分、各物质的化学价态以及薄膜的退火工艺进行了深入的分析研究;测试了PLT/Pt/Ti/Si多层异质结构的电学性能;并初步研究了PLT铁电薄膜在热释电探测器上的应用,得出了如下具有创新意义的研究成果:1.采用射频磁控射技术,结合大量的实验技术研究和薄膜性能分析,得出了利用陶瓷靶材采用射频磁控溅射、室温淀积、后续退火的优化工艺条件,制备了所需的完全钙钛矿结构的铁电薄膜和PLT/Pt/Ti/Si铁电薄膜多层异质结构.2.对采用射频磁控溅射室温淀积、600℃退火1小时的PLT薄膜,深入进行了X光电子能谱测试,详细分析了薄膜表面和内部Pb、Ti、O三种元素的结合能.3.运用原子力显微镜,结合其它表面形貌分析技术(如SEM)?对退火前后的PLT薄膜表面形貌进行分析.4.测试了PLT/Pt/Ti/Si多层质结构的电学性能,测试了薄膜的介电常数ε<,r>约为150,电滞回线的测量结果表明,该薄膜的剩余极化约为4~7μC/cm<2>,矫顽场约为10<4>V/cm,回线的矩形度较好,Pr/Ps约为80﹪.
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