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Ge材料磷旋涂掺杂及Ge n+/p浅结制备研究
【摘 要】
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锗(Ge)因其具有高载流子迁移率、在光通信波长(～1.55 μm)具有大的吸收系数,准直接带隙结构以及与Si工艺相兼容等优点,被认为是最有希望的硅基光电集成回路候选材料。由于Ge中施主杂质的固溶度低、扩散系数大,n型重掺Ge及Ge n+/p浅结的实现已成为制备Ge基器件的挑战之一。围绕这一问题,本论文开展了 Ge上磷(P)旋涂掺杂及浅结制备的研究,主要工作内容和创新点如下:1.创新地提出了在Ge表
【机 构】
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厦门大学
【出 处】
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厦门大学
【发表日期】
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2020年07期
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