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近年来，一维ZnO纳米结构用于纳米光电器件的研究已经引起了人们广泛的关注。通过掺杂不同的元素、表面包覆（表面修饰）可以调节ZnO纳米棒阵列的物理化学性质，以满足具有特定功能的器件的需求。本文主要采用化学浴沉积的方法合成了ZnO纳米棒阵列，进一步合成了ZnO/ZnS纳米棒：P3HT复合薄膜及ZnO/CuO纳米棒阵列并分别研究了它们的光、电性质。主要工作内容如下：1、通过改变反应物浓度和反应时间分别合成了长度为250nm及1.5μm的ZnO纳米棒。PL谱的分析认为568nm发光峰可能的来源为浅施主能级Zni+与受主能级VoZni的跃迁，649nm附近的红光的来源可能为Zni~0到Oi的跃迁。引入ZnS纳米粒子对ZnO纳米棒表面进行修饰及钝化ZnO的表面缺陷，以减弱其缺陷发光峰。分别合成了结构为：ITO-ZnO-P3HT-Au和ITO-ZnO-ZnS-P3HT-Au的两类器件。通过I-V测试讨论了两类器件的开启电压，串联电阻，反向漏电流，及整流比等参数。由于ZnS的修饰作用，使得有ZnS包覆的ZnO纳米棒阵列的器件展现出更优异的电子传输性能。2、通过简单的液相法结合高温烧结法（400℃）得到了CuO粉末。通过自组装方法合成了ZnO/CuO p-n结，并对其光学性质进行了讨论。I-V测试结果表明该p-n结器件受陷阱电荷限制电流机制的限制，其串联电阻为562Ω。结果表明这种一维的ZnO/CuOp-n结复合薄膜有望应用于光伏器件中。