本文采用简单方便高效的一步法工艺来制备发光量子点薄膜。仅需要混合金属分子前体溶液,通过旋涂退火即可可调控的制备出不同荧光的发光量子点薄膜。并且研究了不同的工艺条件对样品性能的影响,找出了可获得最大荧光效率的工艺条件。主要研究的内容如下:1.将金属氢氧化物溶解在正丁胺和二硫化碳中来制备出分子前体溶液,并以乙醇为溶剂,MPA为配体,成功制备出了 CdInS合金型发光量子点薄膜。通过改变反应条件来获得不同尺寸的量子点,从而可控的合成了覆盖全光谱,并且最高荧光效率可以达到的36.5%的CdlnS量子点薄膜。2.将CuO和Cd(OH)2分别溶解在正丁胺和二硫化碳中来制备出分子前体溶液,同样以乙醇为溶剂,MPA为配体,制备出了 Cu:CdS掺杂型发光量子点薄膜。通过研究发现Cu的掺入会使CdS量子点的荧光波长红移,并且当掺杂浓度为1%的时候,荧光强度最大。通过改变反应条件可以调控Cu掺杂CdS量子点薄膜的荧光颜色(黄橙红)。3.用更加清洁的水作为溶剂,MPA为配体,合成了 Ag掺杂ZnxCdi-xS量子点薄膜。所有的实验都在常压空气下进行。不改变实验条件,仅改变Zn/Cd的比例,可获得覆盖全光谱的最大荧光效率为24.6%的Ag掺杂ZnxCd1-xS量子点薄膜。并将其应用在ITO上,制备了出荧光透明导电的多功能薄膜。