随着超大规模集成电路的发展，寻找能够替代目前使用的电容器件Si基材料的高介电常数材料是一项急待开展的研究课题。Ta2O5由于其良好的的介电性能且与半导体制备工艺相兼容性，在电容器和DRAM存储介质方面展现出了广阔的应用前景，成为很有希望的替代品。但目前的研究重点是纯Ta2O5薄膜，有关块状Ta2O5的研究比较缺乏，因此，本论文参考Cava与其合作者有关TiO2掺杂后Ta2O5-TiO2介电常数大幅度提高的报导，对Ta2O5-TiO2陶瓷的制备和介电性能进行了研究。 本论文首先在常规陶瓷工艺的基础上对(Ta2O5)092(TiO2)008陶瓷介电性能进行了研究，并总结出其最佳制备工艺；其次是进行了(Ta2O5)1-x(TiO2)x掺杂改性的研究，分析了TiO2掺杂量对(Ta2O5)1-x(TiO2)x材料介电性能的影响，并对其微观机理进行了初步探索；最后，根据干压法成瓷后陶瓷性能和结构各向异性的特点，采用切割加工处理方式，对(Ta2O5)1-x(TiO2)x材料介电性能的各向异性进行了研究。 本课题的完成，首先，将提供一种满足目前计算机飞速发展的、品质好的、新型的DRAM材料，并会大幅度地提高计算机的存储效率，有力地促进计算机的发展；其次，还将从理论上、工艺上指导Ta2O5与其它物质掺杂改性的研究及其机理的探索，从而进一步推动新型DRAM材料的研制。总之，本工作将对计算机的未来发展具有十分重要的意义，进而也将会对社会的科学进步和经济发展产生积极的作用。