本论文采用溅射法在掺钒半绝缘SiC单晶片表面淀积100nm厚的Ta金属层,然后在930℃真空条件下退火2min,再利用蒸发淀积的方法在其表面淀积Au层的工艺制作欧姆接触电极。分别采用扫描电子显微镜(SEM)和X光电子谱仪(XPS)对欧姆接触电极表面的微观形貌和组成进行分析。将欧姆接触电极制备工艺用于范德堡结构的制作,在室温条件下进行霍尔测量。通过I-V曲线测试欧姆接触电极的欧姆接触性能。并用石墨接触点法与霍尔法进行了电阻率的对比试验。对霍尔测量得出的载流子浓度、电子迁移率、欧姆接触形成的机理作了分析讨论。结果表明:采用Ta-Au双金属层退火法制作的欧姆接触电极的表面金属熔化收缩形成的岛状区域轮廓清晰,合金较致密。由XPS得出表面是由Ta和Si的化合物组成,这可能就是Ta与半绝缘SiC的欧姆接触的形成机理;I-V曲线测试证明所得到电极欧姆接触性能较好;由霍尔测量得到半绝缘SiC单晶材料的电阻率的测量值,通过电阻率与温度的关系,进一步表明电阻率的测量值是准确的;石墨接触点法由于其具有较大的接触势垒使得对电阻率的测量值偏大,但鉴于其快速简便及对样品的无损害,用于对半绝缘SiC单晶片的粗略估算是可以接受的。