【摘 要】
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ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具有可见光透过率高、紫外光吸收强的特点,因此,被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料,在平面显示器、太阳能电池透明电极、表面声波材料、发光元件以及压敏电阻器等光电器件领域有着广阔的应用前景。近年来受到越来越多研究者的注意,成为半导体领域里的一个研究热点。本论文介绍了ZnO薄膜研究的国内外最新
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ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,具有可见光透过率高、紫外光吸收强的特点,因此,被认为是有望取代GaN的新一代短波长光电子材料,在平面显示器、太阳能电池透明电极、表面声波材料、发光元件以及压敏电阻器等光电器件领域有着广阔的应用前景。近年来受到越来越多研究者的注意,成为半导体领域里的一个研究热点。本论文介绍了ZnO薄膜研究的国内外最新进展,并综述了ZnO薄膜的主要生长技术及原理。本论文采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺
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随着高速的经济发展和大规模的城市建设,城市环境地质问题日益突出,并成为大众关注的焦点。作为环境地质问题之一的地面沉降,由于其持久性、大规模性、大破坏性和难治理而成为重点关注的焦点。因此,系统总结地而沉降特征,深入分析地面沉降的机理和原因,定量评价各因素对地面沉降的影响,对于制定合理的防范措施,控制地面沉降的发展,促进经济的可持续发展意义重大。XX城地面沉降开始于20世纪60年代,由于当时地下水大量
在实际镀膜工艺研究中,准确地掌握薄膜光学常数和厚度对于制备高质量光学薄膜元件至关重要。因此,如何根据实际工作条件快速而又准确地测定薄膜参数一直是镀膜工作者十分关注的课题。本论文基于精英保留策略遗传算法优良的全局寻优能力和采用Levenberg - Marquard算法的非线性最小二乘法的局部收敛能力,编制了采用全光谱拟合法测定薄膜参数的反演软件。首先,论文根据电磁场理论严格地推导了光学薄膜光谱特性
龙首矿是金川公司开发最早的地下矿山,分为东、中、西三个采区,其中东、中采区的矿石品位较高,西采区则以贫矿为主。龙首矿采矿方法采用下向六角形进路式胶结充填采矿法。进路式采矿法是以巷道掘进的方式来回采矿体,因而掘进爆破效率的高低直接影响到生产能力的大小。多年来,龙首矿一直采用低进尺、多循环的爆破模式,爆破效率一般低于80%,富矿中进路平均单炮崩矿量为45-70吨,贫矿进路单炮崩矿量为60-80吨。本论
露天矿爆堆的矿岩爆破质量对于矿山后续工序的顺利开展和提高矿山的生产效益都极为重要,如何来定量评价爆破质量近几十年来已经成为国内外采矿学者一直研究的重要课题。到目前为止,爆破块度的分布是爆破工程上普遍采用的定量评价爆破质量的重要指标,它也影响到矿山爆破生产后续工序的铲装、运输和机械破碎等的效率与采矿生产的总成本,所以对岩体爆破块度进行更深入的研究对于矿山具有重大现实意义。实际矿山中对爆破块度起着重要
本文主要是对喷射沉积工艺过程中的喷射沉积的区域控制问题进行研究,以解决常规喷射沉积区域较大而不能直接与连续挤压技术相匹配的难题。虽然,目前喷射沉积技术比较成熟,但对于其喷射沉积区域的控制研究目前国内外尚无相关报道,因此,本文的研究方向具有一定的新颖性、创新性。本研究中首先自行设计了喷射沉积小型装置,包括喷嘴、导流管、熔炼装置、接收装置、冷却装置、高压气体装置、保护装置。在此装置的基础上先后进行了水
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有机聚合物材料在光电方面的应用开拓了一个全新的信息功能材料及其器件的研究开发领域。在各种有机聚合物材料当中,聚芴及其衍生物由于具有宽的能隙、高的发光效率等特点引起了广泛的研究,并被认为是最具商业应用前景的蓝光材料之一。目前,关于聚芴及其衍生物的研究大多集中在新型结构材料的开发领域,而对于材料的结构尤其是聚集态结构与光物理性能之间关系的研究尚处于起步阶段,聚合物发光材料的产业化仍存在许多问题,研究表
本文采用溶胶-凝胶和浸渍-提拉法制备TiO2薄膜,用作亚甲基蓝水溶液的光催化氧化降解反应的催化剂,考察了各种制备条件对TiO2薄膜性能的影响,并用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射仪(XRD)等分析测试手段,对TiO2薄膜的表面形貌和晶型进行表征,并与亚甲基蓝的光催化氧化降解率相关联。研究了各种原料配比和pH值对制备TiO2溶胶的影响,实验结果表明,按以下物料的体积配比制备溶胶：钛酸四丁酯：无水乙醇