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【摘 要】
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ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的直接带隙、宽禁带半导体材料,具有六方纤锌矿结构。由于ZnO具有优异的压电、光电、气敏、压敏等特性,近年来受到广泛的关注和研究。Al掺杂ZnO薄膜不但具有
【机 构】
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东北大学
【出 处】
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东北大学
【发表日期】
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2007年期
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