【摘 要】
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过去十年中,CMOS技术成为半导体集成电路中的主流制造技术,因此CMOS也成为半导体存储器设计的主要工艺选择.许多特殊CMOS存储电路的设计和分析,比如存储单元、阵列布线、灵敏
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过去十年中,CMOS技术成为半导体集成电路中的主流制造技术,因此CMOS也成为半导体存储器设计的主要工艺选择.许多特殊CMOS存储电路的设计和分析,比如存储单元、阵列布线、灵敏放大器和抵抗辐射电路等,不但需要精深的电路知识,还需要半导体工艺、器件知识、物理模型和信息理论.该论文综合运用交叉学科理论知识设计出一种高性能异步静态存储器.该论文对成功使用过的CMOS存储电路进行运算和分析,为了方便说明,分成五个章节.CMOS存储器结构的介绍是讨论存储器电路的基础,由于存储单元存储数据的重要性,论文中系统的介绍了存储单元的设计方法.灵敏放大器是存储器设计中的关键因素,因此第三章的综合分析揭示了灵敏放大器电路设计的复杂性,包括电压型和电流型灵敏放大器.除存储单元和灵敏放大器之外,其它的子电路包括阵列译码和输入输出接口电路也进行了详细的分析和设计.该论文运用新颖的方法设计了一种异步SRAM存储器,与相同工艺下设计的同种类型的存储器进行比较,说明电路设计方法的优越性.
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