芯片封装已经迈入3D封装的时代，固液互扩散键合法（SLID，Solid-Liquid-Inter-diffusion Bonding）以其独有的优势成为芯片互连中的很有发展前景的一种方法。SLID键合采用低温钎料Sn或In，在较低温度下就可键合，并且由于焊点尺寸小，键合后全部由金属间化合物IMC（Intermetallic Compound，IMC）组成，由于IMC熔点较高，因此可以达到低温键合，高温服役的效果。Cu作为芯片内部互连材料可以实现良好的性能，In的熔点比Sn低很多，可以在更低的温度下实现键合，因此对SLID键合中Cu-In体系的研究具有重要的现实意义。本文首先对Cu-In体系SLID键合焊点的制作工艺进行探讨，优化了镀膜工艺参数，然后对高低两种键合温度下焊点的组织演变进行了分析，并对焊点中出现的裂纹和孔洞等缺陷进行了研究，最后对焊点的剪切性能进行研究，比较了不同工艺参数的焊点剪切性能，并对剪切断口进行分析，确定了断裂模式和断裂位置。研究结果表明：只有200℃键合40min后的焊点未形成全IMC焊点，而260℃、310℃和360℃键合40min后的焊点均形成全IMC焊点。在260℃键合初期焊缝中首先生成Cu₁₁In₉相，然后在Cu₁₁In₉与Cu的界面处生成Cu₂In相，但是其形核长大的速度很慢。在360℃键合初期焊缝中首先生成Cu₂In相，随后相变生成Cu₇In₃相，并且其长大形核的速度非常快，并且Cu₇In₃相沿Cu₂In晶界方向生长更快。在Cu与焊缝界面处会产生可肯达尔孔洞，并且随着键合温度的提高和键合时间的增长而增多增大。在焊缝中还存在纵向贯穿裂纹，这种裂纹多起源于界面处的可肯达尔孔洞。对焊点剪切强度的研究表明Cu₂In相的存在就可以增强了焊点的剪切性能，而Cu₇In₃相的存在并未使焊点剪切强度提升。260℃键合360min焊点中出现的裂纹是由Cu₁₁In₉相向Cu₂In相转变产生的体积变化导致的。260℃键合的焊点断裂模式主要为解理断裂，且断裂均发生在Cu₁₁In₉层。在260℃键合360min的焊点断口中发现了许多舌状花样，可分为两种，第一种表面光滑，断在Cu₁₁In₉层，第二种表面是明显的沿晶断裂，断在Cu₂In与Cu₇In₃相的界面处，说明这两相的界面结合力很弱。360℃键合40min和160min的焊点断裂模式主要为解理断裂，且断裂均发生在Cu₂In层，都发现了舌状花样。360℃键合360min的焊点一部分为沿晶断裂，发生在Cu₂In相与Cu₇In₃相的界面处，一部分为解理断裂，断裂在Cu₇In₃层。