ZnO作为一种重要的II-VI半导体材料,它在室温下禁带宽度为3.37e V,且具有较大的激子束缚能(60meV)。由于它在电学、光学、机械及声学等方面卓越的性能,在纳米材料领域掀起了一股研究热潮。而且ZnO纳米棒材料的性能比其体相材料更加优异,一系列由ZnO纳米棒材料构造的新型光电子器件已经被不断研制和开发。溶液体系中种子层法由于其低的成本、实验设备简单易操作及有利于大规模的样品制备等特点,越来越受到人们的关注。所以我们就采用这种简单的方法在两种不同的ZnO种子层上制备ZnO纳米棒阵列,并使用X射线衍射仪、场发射扫描电镜以及PL光谱对所得产物进行形貌表征和发光性能的分析。结果表明ZnO纳米棒阵列的取向性直接由ZnO种子层的取向性决定,Zn O纳米棒的直径和种子层、生长液浓度、生长时间都有关。种子层直径越大,由它同质外延生长的ZnO纳米棒直径就越大;生长液浓度过高或者过低都会导致Zn O纳米棒阵列尺寸分布不均匀;随着生长时间增长ZnO纳米棒的(002)面逐渐被腐蚀,当生长时间达到3h,ZnO纳米棒的(002)面完全被腐蚀形成中空结构。根据实验结果的分析我们在最佳化实验条件下得到了取向性良好,平均直径为90nm,平均长度为220nm,棒间距为90nm的ZnO纳米棒阵列。