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硅纳米晶（nanocrystalline Si，nc-Si）由于存在量子限域效应，禁带宽度可调的性质，能增强硅的发光效率，而且与现有光电、微电子产业的工艺兼容度高，是制备硅基光电器件的理想材料。本文采用磁控溅射结合后续热处理的方法制备了镶嵌硅纳米晶的氧化硅薄膜。通过透射电子显微镜（TEM）、红外光谱（FTIR）、X射线光电子能谱（XPS）、光致发光光谱（PL）等分析测试手段，研究了单层nc-Si薄膜和多层nc-Si/SiO_2薄膜的形貌、组分、光学性质。主要研究成果如下：1、在Si（100）