【摘 要】
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该文提出了一种全新的可进行选择性掺杂的制备HgCdTe材料表面的ZnS钝化膜的方法,解决了蒸发制备ZnS膜的"毛细孔"现象,明显改善薄膜的结构特性,增强膜层的致密型和抗环境因素
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该文提出了一种全新的可进行选择性掺杂的制备Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料表面的ZnS钝化膜的方法,解决了蒸发制备ZnS膜的"毛细孔"现象,明显改善薄膜的结构特性,增强膜层的致密型和抗环境因素影响的能力,控制掺杂剂量和掺杂时机,可以得到不同性能的薄膜.论证了Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料表面费密能级位置与金属材料之间欧姆接触的关系,实验证明,通过一定的工艺方法在制备合金电极过程中可改变Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料表面费密能级的位置,确保实现p型材料与合金电极的欧姆接触.阐明了p型Hg<,1-x>Cd<,x>Te材料的成结工艺特点和在工艺过程中对p-n结有影响的工艺环节.研制了工程化的具有叠盖电极的高性能60元光导探测器.
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