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氧化锌(ZnO)作为一种宽禁带半导体材料(晶体常数a=0.3250nm,c=0.5206nm,室温下的禁带宽度约为3.30Ev,激子束缚能约为60mev),具有优异的压电,光电,气敏,压敏等特性,尤其是引入少量杂质通常能诱导明显的电学和光学特性变化。目前通过掺杂来调节或改善其性能是ZnO薄膜研究的热点之。其中以掺铝ZnO薄膜(简称ZAO)的研究最为广泛。制备ZAO薄膜的技术很多,包括射频溅射、分子束外延、电子束反应蒸发沉积以及溶胶.凝胶法等。溶胶-凝胶法具有工艺设备简单,膜均匀性好、化学