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本文采用射频反应磁控溅射方法在玻璃基底上制备了纳米CU3N薄膜，并研究了溅射工艺参数和Ni掺杂对薄膜的成份、结构、表面形貌、电学性能和光学性能的影响。实验采用X射线能量色散谱仪（EDS）、X射线衍射分析仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、四探针电阻仪、紫外-可见分光光度计等仪器分别对薄膜的成份、结构、表面形貌以及电学性能和光学性能进行了研究。研究发现：
（1）溅射功率、氮气分压等参数对CU3N薄膜结构的择优取向有很大的影响，随着溅射功率的增加，薄膜的择优取向由（111）晶面向（100）晶面转变；随着氮气分压的增加，薄膜的择优取向也由（111）晶面向（100）晶面转变。基底温度对Cu3N薄膜的形成有较大影响，在本实验条件下制备Cu3N薄膜的最佳基底温度为100℃，形成Cu3N相的最高温度在180-200℃之间，当温度高于这个范围时，没有Cu3N生成，只有Cu相。
（2）溅射功率对Cu3N薄膜的光学性能、电学性能有很大的影响，随着溅射功率的增加，Cu3N薄膜的光学能隙从1.85ev减小到1.41ev，而薄膜的电阻率从1.45×102Ω cm增加到2.99×103Ω cm。
（3） Ni的含量对Cu3N薄膜的结构、表面形貌以及性能有很大影响，Ni的加入使得Cu3N薄膜的（111）晶面向小角度偏移；随着Ni含量的增加，Cu3N薄膜的表面颗粒形状由圆形结构向条状结构转变；同时，Ni的含量对Cu3N薄膜的性能有较大影响，随着Ni含量的增加，薄膜的光学能隙从1.09ev增加到1.52ev，而薄膜的电阻率从1450×10-6Ω·cm减小到184×106Ω·cm。