近年来,金属卤化物钙钛矿纳米材料因其发射光谱可调、荧光量子产率高、制备方法简单、成本低等优势,在太阳能电池、电致发光二极管、场效应晶体管、激光器、存储器等领域均具有独特的应用价值,引起了广泛关注。考虑到铅基钙钛矿的毒性,及对水、热、光等因素的敏感性,开发非铅稳定的钙钛矿材料的研究成为该领域的热点。本文基于环境稳定的四价锡,分别制备了一系列具有不同形貌的Cs₂SnI₆类钙钛矿纳米材料和一种（OLA）_xSnI₄类钙钛矿量子点荧光材料,对材料的结构、形貌、光电性质及应用进行了表征分析。目前已报道的Cs₂SnI₆纳米材料主要以传统热注入法来制备,该方法合成过程复杂,且对制备环境和制备工艺要求较高,不易控制和大规模放大合成。在借鉴铅基钙钛矿纳米材料制备方法的基础上,本论文首先探索一种简化的“溶剂热法”通过改变配体比例和用量对其形貌进行了调控,制备了一系列Cs₂SnI₆纳米材料。其中当油胺油酸等比例时,可获得一种超薄的Cs₂SnI₆二维材料,其展示了很好的环境稳定性,XRD结果表明在空气中放置270天未见明显分解,稳态光电压测试估算材料带隙为1.62 eV,瞬态表面光电压结果表明该材料为n型半导体。而后,将不同形貌的Cs₂SnI₆纳米材料作为活性层,制备了一种结构为ITO/PMMA/Cs₂SnI₆/Al₂O₃/Ag的非易失性阻变存储器,最优器件开光比超过1000,ON/OFF态电流在循环600次后未见明显衰减,在2 V的恒定电压下ON/OFF态电流保持时间超过10000 s,展现出很好的器件稳定性。此外,本文以SnI₄和OLA为反应原料,利用三种不同的反应条件（“加热并搅拌”,“搅拌”和“超声”）,一步制备出了同一种新型锡基类钙钛矿（OLA）_xSnI₄量子点荧光材料,从加热并搅拌”到“超声”,材料的平均粒径逐渐增大,依次为2.67 nm、3.2 nm和4.0 nm,“加热并搅拌”制备的材料结晶性较后两种差。不同条件制备出的（OLA）_xSnI₄量子点在紫外灯下表现出橙光发射,PL光谱发射峰位置相同,均在582 nm,616 nm,653 nm,694 nm处有明显的发射峰。