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半导体光催化剂因环保节能等优点在环境治理,特别是在水体有机污染物降解方面发挥了巨大的作用。在众多半导体光催化剂中,ZnS因具有优异的性能备受人们的关注。但ZnS半导体材料因具有较宽的禁带,只对紫外光有响应,致使ZnS对太阳光的利用率较低。近年来,通过掺杂或复合来提高半导体光催化剂对污染物的降解效率已成为催化领域研究的热点之一。在本文中,我们以硫化物半导体材料为主体进行研究,采用水热法、高温煅烧、离子交换等方法,结合材料本身的容度积等物理化学性质,制备了CdS/ZnS纳米片,Co、Mn共掺杂ZnS纳米