GaN基HEMT器件具有较宽的禁带，高二维电子气浓度，高电子迁移率以及高击穿电压等特性因而在高微波功率器件上有着极大的应用潜力。为了减小栅泄漏电流，MOS结构被添加到GaN器件中，而随着器件进入纳米尺度，作为MOS结构传统栅介质的SiO₂材料将无法应对粒子的隧穿效应，因此以高κ材料作为栅介质的AlGaN/GaN MOS-HEMT器件开始被人们广泛研究。本文首先利用ISE-TCAD搭建了以HfO₂作为栅介质的AlGaN/GaNMOS-HEMT器件。在此基础上，对Al组分和AlGaN层厚度对二维电子气密度的影响进行了模拟分析，接下来对器件的转移特性、跨导、输出特性、器件的击穿电压以及低频下的电容特性进行了模拟，并对器件在不同的参数条件下的直流性能进行了研究与分析。本文还研究了不同脉冲条件对高κ栅介质的MOS-HEMT器件电流崩塌程度的影响情况，然后本文对抑制电流崩塌效应的措施进行了模拟，首先对以不同材料（SiN，HfO₂，SiO₂）作为钝化材料对电流崩塌改善情况进行了对比，最后在以SiN为钝化材料的基础上添加场板，对均匀栅场板结构对电流崩塌的抑制情况进行了模拟，并对这些措施能够抑制电流崩塌的机理进行了分析。