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目的：研究放射性脑损伤不同时期MR灌注成像的变化规律以及病理学表现,探讨相对脑血容量(rCBV)与血管内皮生长因子(VEGF)表达水平之间的相关性。材料与方法：将30只成年大鼠随机分为对照组和照射组。对照组不予以照射。照射组采用6Mev电子线行20Gy单次全脑照射,对照组和照射组照射后1个月、3个月、6个月、9个月、12个月均行MR平扫和MR灌注成像检查。MR检查完毕后,立即断头取脑,制作病理切片,行HE染色、血管内皮生长因子(VEGF)免疫组化染色及电镜检查。MR灌注成像测量大鼠双侧侧脑室周围脑白质的rCBV、MTT、TTP值；免疫组化染色测量VEGF吸光度值；HE染色观察血管的形态、结构及密度情况；电镜下观察血管腔、基底膜等微细结构的变化。结果：①大鼠全脑照射后,随着时间的推移,照射区rCBV及VEGF值呈逐渐下降趋势,MTT及TTP值呈逐渐上升趋势。②照射后1个月组rCBV、MTT及TTP数值与对照组相比,差异均无统计学意义(P>0.05)；自3个月起,rCBV值逐渐下降,MTT、TTP值逐渐升高,与对照组相比,差异均有统计学意义(P<0.05)。③照射后1个月组VEGF吸光度值与对照组相比,差异无统计学意义(P>0.05)；自3个月起,VEGF吸光度值逐渐下降,差异均有统计学意义(P<0.05)。④rCBV与VEGF之间呈显著的正相关(r=0.94),线性相关具有统计学意义(P<0.05)。结论： MR灌注成像可以间接地反映脑照射后脑组织放射性损伤的病理生理改变；VEGF表达可直接反映脑照射后脑组织放射性损伤的病理生理改变。rCBV与VEGF呈正相关,即脑照射后VEGF表达减低,血管密度减低,局部血流灌注减少,导致rCBV值下降。VEGF表达降低在放射性脑损伤的发病机制中发挥着关键作用。