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微纳米量级的微环谐振腔型传感芯片，基于倏逝波原理，以其特有的微环谐振腔的增强效应，能实现极高的灵敏度，而且无需对检测物质进行标记。目前的微环谐振腔常利用绝缘体上硅(silicon on insulator，SOI)材料，该材料具有良好的导光性质，折射率差大，并且与成熟的互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor，CMOS)工艺兼容，加工工艺成熟。基于平面光波导的微环谐振腔型芯片，极易实现与微流控芯片的系统集成，容易进行化学表面处理。本