NAND Flash是一种非易失性存储器,目前已广泛应用于各种存储场合。多级存储单元(Multi-Level Cell,MLC)较单级存储单元(Single-Level Cell,SLC)来说,具有价格低,容量大的优势。从NAND Flash的物理结构特性来说,出现比特翻转是不可避免的,而MLC较之于SLC具有更高的存储密度,所以MLC逻辑状态之间的阈值电压差距比SLC更小,导致MLCNANDFlash比SLCNANDFlash更容易发生比特翻转。如何保证数据的完整性、可靠性,成为一项重要的研究课题。本文着重研究及分析外界环境和闪存特性对NAND Flash误码率和比特翻转特性的影响,通过误码率来反应NAND Flash当前的寿命及可靠性。本文的工作主要由四部分组成:第一部分首先由微观层面引入并在宏观层面详细阐述。微观层面主要涉及存储单元的结构原理,以Flash基础胞元所保存的比特数量区别入手,分别介绍了常用的三种Flash类型;宏观层面内容由基础胞元展开,拓展至由胞元组成的Flash整体芯片架构,并以此为基础详细介绍了NAND Flash的基本操作;第二部分对本文主要研究对象的错误特性进行概述,错误种类依据Flash特性和环境因素主要分为擦除错误、数据驻留错误、读干扰错误、编程干扰错误四种,从环境因素着手,主要研究温度对其比特翻转所产生的影响;从特性因素着手,对四种错误产生的整体影响进行研究;第三部分内容涉及实验环境的搭建以及测试固件的编写,以错误的产生原因为研究导向设计实验测试方案。第四部分以前文的错误特性研究为基础进行具体的测试实验,得出相关的实验结果,分析研究这些环境因素及特性因素对NAND Flash误码率和比特翻转的影响,并总结得出相关结论。对Flash特性的研究主要是从其实用性方面进行考量。既然Flash芯片在使用过程中产生错误是不可避免的,那么如何减少和纠正这些错误就是研究的重中之重。在应用领域中存在多种错误纠正方法,通过硬件进行纠错对其本身并不富足的资源占用极大,如何通过其他层面减少或者避免错误的发生是本文研究的主要目的。本文所取得的错误特性分析结果对后续的编码纠错研究意义重大。