场效应晶体管是电子元器件家族中的一个重要成员。传统的场效应晶体管是在无机硅基上生长的,存在着投资成本高、制备工艺复杂、不适于柔性基底等缺陷,有机场效应晶体管以其新颖、低成本、可与柔性衬底兼容等优势迅速发展,成为有机电子器件中的重要组成部分。本文制备并研究了基于并五苯的垂直构型场效应晶体管,分析了介电绝缘层、中间源电极以及修饰层对器件性能的影响,同时对双极型晶体管进行了探究。具体包括以下几个方面：首先,以LiF为介电绝缘层,我们制备了具有不同厚度的LiF介电绝缘层器件ITO/LiF(x nm)/Al(25 nm)/Pentacene(80 nm)/Al,对器件的性能进行了表征,研究了绝缘层对栅极调控作用的影响。发现当LiF厚度为150 nm时器件整体性能最好。其次,我们对中间源电极进行了研究,分析了源电极对栅极控制作用的影响。发现：(1)当Al的厚度为20 nm时,此时器件的性能最佳,“开／关”电流比为85；(2)在此基础上对20 nm厚的Al中间源极进行了不同时间的臭氧处理,分析了中间Al电极的表面形貌及组分对器件性能的影响,实验结果显示经过12 min臭氧处理的器件的“开/关”电流比达到103；(3)分别采用Au、Ag作为中间源电极制备完整器件,与Al中间源极的器件特性进行了对比,发现Al、Ag作为中间源电极器件表现出n型特性,而Au作为中间源电极器件表现出p型特性。同时,用不同介电材料(LiF、Cs2CO3)对中间Al源极进行了修饰,修饰后的器件“开/关”电流比分别提高了5倍和10倍,器件表现出n型特性,并且随着Cs2CO3修饰层厚度的增加,器件性能提高的幅度在下降；若中间源极采用Ag电极,同样用Cs2CO3对其修饰,器件性能并未有太大提高；另外我们还制备了具有良好性能的以Au作为源极,Cs2CO3修饰漏极Al的器件,器件的“开/关”电流比达6×102。最后,我们对VOFET的极性进行了探究,发现当源极和漏极同时采用双电极(Al和Au)时,器件在较小的电压下表现出双极型特性(n型和p型),并且随着Al和Au比例的改变,器件分别表现出n型特性“强于”、“等于”和“弱于”p型特性的关系。