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随着信息技术的飞速发展,对超高信息密度存储材料和器件的要求也越来越高。而基于有机半导体材料的“三明治型结构”存储器件由于具有器件操作电压低、器件制备简单、材料结构可设计强等优点在超高密度信息存储领域具有潜在的应用价值。然而,如何通过材料结构设计不断优化提升器件存储性能,以致探究材料结构与器件性能相互影响的规律,将对今后电存储器件在超高密度信息存储领域走向应用起着至关重要的影响。本文主要从分子结构设计出发,研究结构和器件性能之间的相关影响规律,主要研究内容包括:(1)设计合成了以联咔唑为给电子基团,末