本论文主要成果有： 　　1.分析了外延生长的三种模式的不同适用条件，指出量子点的生长采用S-K模式，阐述了S-K模式的机理，从热平衡理论出发讨论了量子点生长过程化学势的作用和能量变化的规律性；从理论上分析了量子点超晶格生长的垂直相关性问题，指出在有掩埋岛的情况下量子点的生长将遵循一定的规律，导出了有掩埋岛时量子点成核的不均匀概率分布表达式；从两方面分析了影响量子点生长各种因素，并提出了实现量子点有序生长的途径。2.将弹性力学中应力与应变的概念移植于半导体量子点中，用有限元法计算了自组装量子点的应变场分布，得到了各向同性圆锥形量子点的应变场分布，各向同性2×2的量子点阵列应变场分布、各向异性三维量子点的应变场分布和三维各向同性量子点盖层中应变感应能分布；比较了不同形状相同高宽比和相同形状不同高宽比量子点应变场分布；提出了在量子点对称轴间的距离下其线度可比拟时，各量子点内的弹性应变场互不影响；用数值解证明了量子点生长的应变驱动原理和量子点超晶格生长的垂直相关性；给出了在非线性应变下量子点各弹性常数修正的方案。3.分析了应变作用下量子点空穴能级简并解除的物理机制；介绍了k·p八带模型和Kane理论，并用该理论导出了量子点的导带能级、重空穴带能级、轻空穴带能级和轨道分裂能在应变作用下的改变量与应变关系的表达式，结合应变场的数值计算结果得到量子点内各能级改变量的变化规律。