现代大规模集成电路是由基于场效应晶体管组成的模拟和数字电路构成的,所以对于设计这样高性能的电路而言,一个准确的场效应晶体管是必须的。但是目前常用的的BSIM模型是基于数字电路的应用产生的,于是在一些小信号的运用上特别是低压低功耗电路的应用上,这些模型在描述场效应晶体管从弱反型到强反型,从非饱和区到饱和区域的时候,都会存在一定的失真。电荷模型[Van de Wiele’79]可以比较完整的解决这些问题,但是,这样的模型需要非线性的表达式,而且计算复杂,而且在参数的提取方面显得格外复杂。EKV的场效应晶体管的物理模型相对而言,在模拟电路上的应用要简单方便许多。这种模型是在Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne(Suisse)[Enz’95]发展起来的,Oguey-Czerveny提出一个经验的数学表达式,这个表达式可以描述漏端电流从弱反型到强反型的状态,Enz,Krummenacher和Vittoz在此基础上做的更多的研发工作,使之满足于模拟电路的应用。而且,尽管是根据经验公式得到的该表达式,也可以从物理的角度来进行准确的描述[Cunha’98]。EKV模型的另外一个优势在于它是基于衬底为参考电势,而BSIM模型中是以源端为0点位的参考电势,很明显,EKV模型具有源漏两端可对称的操作特点,而且比较容易应用在模拟电路中。EKV模型中主要是根据过渡电压VP来对处于弱反型的场效应晶体管进行操作的,它可以用来描述亚阈值电压条件以及饱和条件下的晶体管模型,当然也需要引入一些函数来保证电流的连续性。在本文中,根据0.18um的N型器件,验证了EKV模型的可行性。