ZnO-TM(TM=Co,Cu)薄膜的电致阻变性能

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【摘要】

：

基于二元金属氧化物的阻变式随机存储器(RRAM)由于结构简单、价格低廉等诸多优点,成为了人们研究的热点。ZnO是一种宽禁带半导体,能够广泛应用于电学和光学领域,同时与传统的半导体工艺兼容,所以常被人们选作阻变功能层。目前RRAM的研究还面临着很多问题,如选择不同的功能层及电极材料引起阻变行为各不相同,而且阻变机制也还不清楚。本文采用磁控溅射制备了Pt作为底电极,ZnO、ZnO-Co和ZnO-Cu分

【作者】

：

李洁

【机构】

：

山西师范大学

【发表日期】

：

2016年01期

【关键词】

：

电致转变 ZnO-Co薄膜磁控溅射电极材料导电丝

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