随着科学技术的发展，薄膜制备技术的应用越来越广泛。但由于薄膜生长时会出现裂纹和空洞，这给薄膜质量带来很大影响。为深入了解薄膜裂纹和空洞的成因，从原子尺度上揭示薄膜初期的微观演化过程，人们开始用计算机模拟的方法来研究薄膜的生长过程。　　本文先介绍了薄膜的生长理论和相应的模拟方法、模型，然后建立一个四边形基底上薄膜三维生长的动力学蒙特卡罗模型。模型中包括原子沉积、扩散、脱附三个动力学过程，并考虑Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒的影响，通过改变沉积速率和衬底温度等得到模拟结果。模拟前，先对模型进行检验，得到与实验结果一致的结论:随着基底温度升高和沉积速率的降低，薄膜经历了从分形到团状生长的过程，薄膜岛密度下降，岛尺寸变大。　　然后，模型中考虑ES势垒随台阶高度不同而变化，即三维ES势垒。在均匀基底上模拟不同基底温度、沉积率对薄膜外延生长的影响，得到薄膜各层覆盖率、薄膜高度、薄膜粗糙度等曲线。模拟结果表明:(1)考虑三维ES势垒时，随着基底温度升高和沉积速率的降低，薄膜的粗糙度越来越低，成膜质量越好;(2)一层ES势垒和层间势垒差对薄膜生长机制和成膜质量都有影响。　　最后，考虑晶种的阴影效应，在凹坑基底上模拟不同凹坑宽度、入射角和间宽比时薄膜的三维形貌图。结果表明，受三维ES势垒的影响，凹坑对薄膜生长有调制作用，故制备薄膜时凹坑深度不易过大。当凹坑宽度和深度适中时，存在一个最佳间宽比使得薄膜粗糙度最小，根据模拟条件不同S/d值的范围在0.8到1.4之间。此外，薄膜粗糙度随入射角增大而增大，故在凹坑基底上制备薄膜时，较小的入射角有助于提高薄膜质量。　　综上所述，三维ES势垒对不同基底上的薄膜生长都有重要影响。在均匀基底上模拟薄膜生长时，应先计算原子在基底台阶表面扩散时三维ES势垒的变化规律;在凹坑基底上模拟时，要考虑表面台阶、缺陷、预结构等引起的吸附能不均匀性。