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随着信息化社会的不断发展,各界对于非易失性存储器有了更高的需求。在非易失存储器中,铁电存储器、相变存储器和磁阻存储器因其结构与应用上的问题限制了其发展。其中,阻变存储器因读写速度快、存储密度高等优势成为非易失性存储器领域翘楚之一。而阻变材料则为阻变存储器工作的基础。作为一种具有A位缺失型钙钛矿结构的二元过渡金属氧化物,WO3被视为一种具有良好应用潜力的阻变材料。因此,优化WO3薄膜制备流程、挖掘WO3器件阻变特性,对于丰富和完善阻变材料体系具有重要意义。本文从WO3制备出发,生长出具有外延结构的WO3薄膜,并对其阻变特性进行测试。利用脉冲激光沉积技术,在LAO基底上生长WO3薄膜,通过调节生长参数,研究温度与氧压对WO3结构与形貌的影响。通过原子力显微镜检测,其表面生长质量随温度和氧压的升高均呈倒V型变化,600℃和13 Pa分别为其温度和氧压拐点,此条件下均方根粗糙度仅为357.68 pm,并有较为明显的台阶。经X射线衍射技术表征,其(100)、(200)特征峰位明显,且衍射曲线有明显震荡,结晶性良好。选择与WO3晶格常数接近的Ca0.96Ce0.04Mn O3(CCMO)作为底电极,Pt金属作为顶电极,设计具有三明治结构的LAO/CCMO/WO3/Pt阻变器件。通过分析倒易空间图谱,WO3与CCMO、LAO的Qx值高度重合,外延性优异。利用半导体测试仪,对LAO/CCMO/WO3/Pt器件施加循环电压以模拟擦写过程,研究WO3的厚度与氧压对其阻变特性的影响。随着WO3厚度增大,开关比呈上升趋势,在WO3为125 nm时达峰值25。抗疲劳性随厚度增加呈倒V型变化趋势,在WO3为100 nm状态下抗疲劳性能最佳。随着生长氧压升高,其I-V曲线向上移动趋势显著,电阻值明显降低。同时,开关特性增强,抗疲劳性先增强后减弱。然而,厚度和氧压的改变对WO3外延器件的保持特性几乎无影响。在10000 s的检测时间内,各组器件阻值均无明显波动。对WO3外延器件的I-V曲线取对数后进行拟合分析,在0 V-20 V、2 V-0 V的扫描过程中欧姆效应为主要导电机制,而在20 V-2 V扫描过程中空间电荷限制电流效应(SCLC)占据主导作用。